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1. 了解功率半導體器件基本原理及工藝流程；

2. 光刻、刻蝕、測試與分析設備的操作（熟悉其中一項或多項均可）；

1）光刻：需熟悉stepper光刻機、晶圓級光刻機等的操作，亞微米級套刻工藝（精度0.4um)。

2）刻蝕：需熟悉氮化鎵ICP刻蝕等設備。

3）測試與分析：熟悉氮化鎵HEMT器件電學性能的測試分析，要求熟悉HEMT器件原理和IV特性等，并能夠對失效結果進行獨立分析并提出工藝改進方法。

3. 對光刻和刻蝕設備有深入了解及有相關工藝優化開發基礎的優先；

4. 了解GaN功率器件的基本原理以工藝流程；

5. 物理、化學、材料、光電、電子等相關專業；

6. 工作地點：廈門大學翔安校區。

7. 工資待遇面議。