崗位職責:
1. 熟悉III-V族化合物半導體GaAs/InP材料特性,負責后段鍵合/減薄/拋光工藝調(diào)試及良率提升;
2. 負責產(chǎn)品開發(fā)過程中工藝技術(shù)支持及新工藝的導入;
3. 負責進行本工序工藝優(yōu)化及異常工藝處理;
4. 建立相關(guān)的作業(yè)指導書與技術(shù)標準文件,對現(xiàn)場操作人員進行相關(guān)的操作培訓。
任職資格:
1. 本科及以上學歷,專業(yè)方向(微電子、材料、化學、半導體物理、光電等專業(yè));
2. 具備半導體管芯后段減薄、拋光、鍵合/解鍵合、AOI等相關(guān)經(jīng)驗;
3. 擁有3年及以上化合物半導體芯片后段薄片工藝經(jīng)驗,熟悉GaAs、GaN等化合物后段工藝;
4. 工作負責認真,執(zhí)行力強,有良好的邏輯思維能力以及問題分析和解決能力,能獨立開展新工藝研發(fā)和驗證工作。