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任職要求： 1、對半導體功率器件基本原理有扎實的功底，對功率MOS芯片設計技術、光刻版設計技術有優良的掌握； 2、熟練應用功率芯片設計軟件（如sentaurus、silvaco、MEDICI）、光刻版設計軟件（如L-edit）； 3、具有600V以上功率MOS超結結構芯片設計經驗，或具有100V以上功率MOS SGT結構芯片設計經驗，具有成功流片形成芯片產品的經驗。 4、具有指導團隊研發超結、SGT等新型功率MOS芯片產品的經驗和能力。 6、責任心強，工作認真、仔細； 7、具備創新思維和創造力，能夠提出新穎的想法和解決方案； 8、有良好的團隊合作能力、表達能力、溝通協調能力和學習總結能力； 9、熱愛技術、注重工作效率、有自我驅動力； 10、有適應能力，能夠快速適應新環境、新任務、新要求。 崗位職責 1.根據芯片設計要求，負責芯片工藝流程、結構、版圖設計； 2.負責光刻版制作、外協流片的技術溝通； 3.負責芯片的失效分析和改進。 4、負責帶領團隊快速形成超結、SGT等新型MOS芯片研發能力，并形成系列芯片產品。 經錄用待遇從優，五險一金，可享受員工培訓、節日福利、餐飲補貼、租房補貼、取暖補貼、高溫津貼、交通補貼等。