江蘇鎵宏半導體有限公司成立于2021年，是香港上市公司宏光半導體投資的全資子公司。項目發(fā)起人為氮化鎵領域領軍人物，以業(yè)內(nèi)領先的氮化鎵功率器件和其全新應用為拳頭產(chǎn)品，充分發(fā)揮國際領先的6-8寸硅基氮化鎵功率器件全套生產(chǎn)制造技術的優(yōu)勢，匯集供應鏈資源、核心技術、產(chǎn)品制造、核心客戶、資本市場和地方政府支持等關鍵資源，組織籌建新型的IDM產(chǎn)品平臺，助力中國在第三代半導體產(chǎn)業(yè)領域的跨越式發(fā)展。

公司租賃原晶旺光電生產(chǎn)車間約7000平方米、辦公樓約2600平方米。建設2條氮化鎵功率器件芯片生產(chǎn)中試線，用于研發(fā)和生產(chǎn)氮化鎵外延片、功率器件芯片及其相關應用。已經(jīng)投資3.3億元，其中2億元用于廠房升級改造和設備采購，包括金屬有機化合物氣相沉積系統(tǒng)、全自動光刻機、等離子體刻蝕機、涂膠顯影機、干法刻蝕機等設備200余臺套，年生產(chǎn)氮化鎵功率器件芯片8000萬顆。

公司核心團隊結(jié)合了掌握氮化鎵工藝核心技術的美國團隊和具有豐富的硅集成電路生產(chǎn)管理經(jīng)驗的臺灣團隊，擁有全面駕馭產(chǎn)業(yè)和市場發(fā)展的實力。公司將依托核心團隊對第三代半導體氮化鎵功率器件設計、外延生長、芯片工藝、封裝測試、模組系統(tǒng)等關鍵技術的研發(fā)經(jīng)驗，以及國際半導體企業(yè)成熟的管理體系相結(jié)合，建立氮化鎵功率芯片國產(chǎn)化的技術開發(fā)平臺。