江蘇鎵宏半導體有限公司成立于2021年，是香港上市公司宏光半導體投資的全資子公司。項目發起人為氮化鎵領域領軍人物，以業內領先的氮化鎵功率器件和其全新應用為拳頭產品，充分發揮國際領先的6-8寸硅基氮化鎵功率器件全套生產制造技術的優勢，匯集供應鏈資源、核心技術、產品制造、核心客戶、資本市場和地方政府支持等關鍵資源，組織籌建新型的IDM產品平臺，助力中國在第三代半導體產業領域的跨越式發展。

公司租賃原晶旺光電生產車間約7000平方米、辦公樓約2600平方米。建設2條氮化鎵功率器件芯片生產中試線，用于研發和生產氮化鎵外延片、功率器件芯片及其相關應用。已經投資3.3億元，其中2億元用于廠房升級改造和設備采購，包括金屬有機化合物氣相沉積系統、全自動光刻機、等離子體刻蝕機、涂膠顯影機、干法刻蝕機等設備200余臺套，年生產氮化鎵功率器件芯片8000萬顆。

公司核心團隊結合了掌握氮化鎵工藝核心技術的美國團隊和具有豐富的硅集成電路生產管理經驗的臺灣團隊，擁有全面駕馭產業和市場發展的實力。公司將依托核心團隊對第三代半導體氮化鎵功率器件設計、外延生長、芯片工藝、封裝測試、模組系統等關鍵技術的研發經驗，以及國際半導體企業成熟的管理體系相結合，建立氮化鎵功率芯片國產化的技術開發平臺。